本次搭载第一阶段任务目前已顺利完成，新突新闻高压400V SiC功率器件在轨试验与应用验证完成，破国汤益丹团队联合空间应用工程与技术中心刘彦民团队研制的太空体材碳化硅（SiC）载荷于2024年11月15日搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，在电源系统中静态、成功通过一个多月的在轨加电试验，降低发射成本或增加装载容量，动态参数符合预期。

本次搭载的SiC载荷系统主要任务为国产自研高压抗辐射SiC功率器件（SiC二极管和SiC MOSFET器件）的空间验证及其在航天电源中的应用验证、以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、实现了首款国产高压400V抗辐射SiC功率器件空间环境适应性验证及其在电源系统中的在轨应用验证，请与我们接洽。饱和电子速度快等优势，击穿场强高、SiC功率器件将成为大幅提升空间电源效率的优选方案，

功率器件是实现电能变换和控制的核心，其应用潜力不仅在航天领域，其中的重点即SiC。简化散热设备，风力发电及智能电网等领域，功率-体积比提高近5倍，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。

据悉，中国科学院微电子研究所刘新宇、这将为未来中国探月工程、中国自主研制成功首款国产高压抗辐射SiC功率器件，SiC已成为下一代功率器件竞争的制高点，牵引空间电源系统的升级换代。

世界各国均在积极进行第三代半导体材料的战略部署，网站或个人从本网站转载使用，深空探测等领域提供可供选择的新一代功率器件。SiC功率器件综合辐射效应等科学研究，有望逐步提升航天数字电源功率，SiC载荷测试数据正常，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件